真空等离子处理是如何进行?
要进行等离子处理产品,首要咱们发生等离子体。首要,单一气体或许混合气体被引进密封的低压真空等离子体室。
随后这些气体被两个电极板之间发生的射频( RF )激活,这些气体中被激活的离子加快开始震动。这种振动“用力擦拭"需求清洗资料外表的污染物。
在处理进程中等离子体中被激活的分子和原子会宣布紫外光,然后发生等离子体辉光。
温度控制系统常用于控制刻蚀速率。60 - 90摄氏度温度之间刻蚀,是 室温刻蚀速度的四倍。对温度敏感的部件或组件等离子体蚀刻温度能够控制在15摄氏度。
咱们一切的温度控制系统已经预编程并集成到等离子体系统的软件中间。设置保存每个等离子处理的程序能轻松仿制处理进程。
能够通过向等离子体室中引进不同气体,改动处理进程。常用的等离子处理气体包括O2、N2 Ar,H2和CF4。世界各地的大多数实验室,基本上都运用这五种气体单独或许混合运用,进行等离 子体处理。
等离子体处理进程一般需求大约两到十分钟。当等离子体处理进程完成时,真空泵去除等离子室中的污染物,室里面的资料是清洁,消过毒的,能够进行粘接或下一步程序。